Para el siguiente amplificador en simetria complementario calcular:
Calcular:
a) La potencia de salida teniendo en cuenta que V1= 18Vp, F=1KHz.
b) Máxima potencia disipada por los transistores.
c) Análisis en continua del circuito.
d) Potencia suministrada por la fuente.
e) Rendimiento teórico y real.
Rendimiento Real:
Rendimiento Teórico:
Practica 2:
El siguiente circuito representa un amplificador de potencia en simetría complementaria, y al cual estudiaremos su comportamiento utilizando el programa Multisim.
Cierre el interruptor y comience a aumentar la tensión de alimentación hasta que los amperímetros indiquen una IE=220mA. Verifique que la tensión de alimentación en este caso debería ser VCC=20V
Conecte un osciloscopio en RL y aumente el nivel de señal de entrada accionando la tecla de control sobre el potenciometro de manera que a la salida haya máxima excursión de señal sin deformación Atención si la señal de salida muestra evidencia de una distorsión de cruce, aumente poco a poco la tensión de alimentación de Vcc hasta que desaparezca la distorsión.
Determine los valores del punto de funcionamiento estático en todos los transistores.
Calcule la disipación térmica de los transistores.
Rja: 200°C/W Ta: 30°C
Tj: 150°C
Realice la medición del rendimiento de potencia de la etapa.
Realice el análisis de la respuesta en frecuencia del sistema
Realice el análisis de la distorsión armónica.
El circuito esquemático que muestra la figura es un amplificador de potencia de salida cuasi-complementaria:
Explicación detallada del circuito y de cada etapa:
En el circuito observamos una señal de entrada Vi que ingresa en un amplificador operacional LM741, ademas la salida de dicho circuito se considera cuasi-complementaria debido a la presencia de una configuración Darlington con el fin de simular un transistor PNP, ya que hoy en día, los mismos no se fabrican.
Con respecto a los transistores, T1 y T2 se utilizan como protección del Darlington constituido por T5 y T6.
T3 y T4 conectados también en configuración Darlington brindan una mayor ganancia a la etapa.
T6 y T5 forman un transistor PNP el cual tiene un aumento de potencia.
Por ultimo se encuentra la "Red Zobel" constituida por R14 y C6.
Medicion del rendimiento de potencia de la etapa.
Calculo de disipación térmica de los transistores y diseño de los disipadores.
Medición de la polarización y análisis.
T1: Icq: 6,582 mA
Vceq: 2,016 V
T2: Icq: 0,014 A
Vceq: 2,271 V
T3: Icq: 0,013 A
Vceq: 36,560 V
T6: Icq: 0,013 A
Vceq: 38,768 V
T4: I: 3,36 mA
V: 37,061V
T5: I: 3,368 mA
V: 38,768 V
Análisis de la respuesta en frecuencia del sistema.
Análisis de la distorsión armónica.
Corriente máxima de corto-circuito.
En funcion de los parametros confeccione una tabla de especificaciones tecnicas de la etapa.
Practica 4:
Realizar el proyecto completo de una etapa de potencia en simetria cuasi-complementaria de manera que entregue:
Po= 10 W
RL= 8 Ohm
a) Descripción del circuito
b) Diseño teórico del amplificador.
T1: BD536
T2: BD535
T3: BC558B
T4: BC548B
Calculo de la disipacion termica de los transistores.
PDmax := 16,21W
Diseño de la "Red Zobel"
Realizar una simulación del comportamiento del circuito con Multisim obteniendo en forma practica la polarización de todos los transistores, la sensibilidad, la respuesta en frecuencia en modulo y fase, la distorsión armónica y la potencia de salida.
Este es el circuito final, con todos sus componentes y sus valores, para una salida de 10 W con una carga de 8Ω.
Este es el circuito final, con todos sus componentes y sus valores, para una salida de 10 W con una carga de 8Ω.
Verificacion de su potencia de salida.
Respuesta en frecuencia.
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